wafer晶圆技术参数与生产流程解析

一、wafer晶圆基础参数

主流尺寸范围：150mm（12英寸）至300mm（20英寸）

常见晶圆材料：硅（占比超95%）、锗（红外领域专用）、碳化硅（高压应用）

1.1 硅晶圆特性

二、晶圆生产核心流程

2.1 片晶生长

• 直拉法（CZ法）占比达85%以上
• 区熔法（FZ法）纯度≥99.999999999%[1]
• 籽晶直径：3-5mm（硅单晶）

2.2 表面处理

1. 化学机械抛光（CMP）去除厚度偏差
2. 氢氟酸清洗（HF 0.1N）浓度严格控制在±0.02N
3. 氮化硅涂层（厚度5-10nm）

三、质量检测体系

3.1 在线检测

• 晶格完整性（X射线衍射）
• 缺陷检测（AOI系统）精度达0.5μm
• 电阻率（四探针法）测量频率≥100kHz

3.2 实验室检测