万自能个人资料

个人简介

万自能（1975年8月－），中国籍物理学家，现任某国家级实验室首席研究员。研究方向为量子材料与纳米技术，持有3项国际发明专利。

教育背景

• 1993-1997 清华大学物理系本科
• 1997-2000 剑桥大学材料科学博士

职业经历

主要成就

• 2018年：发现新型钙钛矿半导体材料，载流子迁移率提升至120cm²/(V·s)
• 2021年：主导研发纳米级量子点传感器，检测灵敏度达10⁻¹⁵ mol/L

学术贡献

在《Nature Materials》《Physical Review Letters》等期刊发表论文217篇，被引次数超1.2万次。培养博士后及博士生43名。

社会职务

• 中国物理学会青年理事会副理事长
• 国际纳米技术协会（IOTA）理事

著作与奖项