金属-氧化物-半导体-绝缘体-金属晶体管（MOS-LS）技术解析

技术简介

金属-氧化物-半导体-绝缘体-金属晶体管（MOS-LS）是第三代半导体器件的重要研究方向，其结构由金属栅极、氧化层、半导体层和背金属层构成。

工作原理

• 通过栅极电压控制半导体层电导率
• 利用二氧化硅氧化层实现电场隔离
• 载流子迁移路径比传统MOSFET缩短40%以上

核心优势

• 性能提升：开关速度达10 GHz量级
• 能效优化：漏电流降低至pA级
• 集成度：单芯片可集成1亿个晶体管

技术挑战

应用前景

根据《Nature Electronics》研究，该技术将在以下领域实现突破：

• 5nm以下先进制程芯片
• 太赫兹通信设备
• 神经形态计算芯片

预计2025年实现量产，成本较传统工艺降低35%。